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退火炉

简要描述：退火炉是用于制造半导体元件的制程方法。该制程包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理旨在达到不同的效果。可以加热晶片以激活掺杂剂，使沉积的膜至密化，并改变生长的膜的状态。

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  • 更新时间：2024-07-10
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退火炉是用于制造半导体元件的制程方法。该制程包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理旨在达到不同的效果。可以加热晶片以激活掺杂剂，使沉积的膜至密化，并改变生长的膜的状态。暴露在高温下可以修复损坏。该过程称为退火。 炉子退火可以集成到其他炉子处理步驟中，例如氧化，也可以单独处理。

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退火炉技术参数

应用領域腔体

  • 半導體。

  • MEMs。

  • 納米技術。

  • LED。

  • 太陽能電池產業。

  • 平板顯示器。

  • 通過使用加圈和水冷不銹鋼法蘭來控製石英管的溫度。

  • 爐管配置：水平，結合傳送機構。

  • 帶有視窗的手動爐門。


配置和優點選件

  • 石英管尺寸：最大12英寸。

  • 單載片或多載片（最多50個晶圓）。

  • 控制精度：<±1°C。

  • 製程氣體：N2、Ar、H2。

  • 最高溫度：最高1700°C。

  • 抽氣閥件前端會有冷凍捕捉器。

  • 易於清潔和維護。

  • 和自動傳送組成在一起。







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