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反应离子蚀刻设备

简要描述：反应离子蚀刻设备中可以非常精确地控制其蚀刻轮廓、蚀刻速率和均勻性，并具有重复性。等向性蚀刻以及非等向性蚀刻都是可能的。

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  • 厂商性质：经销商
  • 更新时间：2024-07-10
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反应离子蚀刻设备（RIE）中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。image.png

因此，RIE製程是化學物理蝕刻製程，也是半導體製造中用於構造各種薄膜的最重要製程。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與電漿製程，並提供高品質的薄膜。

反应离子蚀刻设备参数

應用領域腔體

  • 基礎電漿研究。

  • III-V族化合物半導體蝕刻（GaAsn，InP，GaN）。

  • Si，SiO2，SiNx 蝕刻。

  • 微機電系統。

  • 金屬與矽的蝕刻。

  • 陽極電鍍處理鋁腔。

  • 通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。


配置和優點選件

  • 客製化的基板尺寸，最大直徑可達12寸晶圓。

  • 單載片或多載片。

  • 優異的薄膜均勻度小於±5％。

  • 精準流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可容納6條氣體管線。

  • 穩定的溫度控制，將載盤加熱至400°C或冷卻至-20°C。

  • 渦輪分子幫浦。

  • 蝕刻終點偵測（OES，激光）相容性。






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