化学气相沉积为一种薄膜沉积方法，其中将基材暴露于一种或多种挥发性气体中，在基板表面上反应或分解以生成所需的薄膜沉积物。这种方法通常用于在真空环境中制造高质量与高性能的固体材料。因此，该制程通常在半导体工业中用于制造薄膜。

PECVD等离子沉积设备DEPOLAB 200根据其模块化设计，PECVD Depolab 200可升级为更大的真空泵组，低频射频源和更多的气路。

带预真空室的化学气相沉积设备SI 500 PPD的特色是预真空室和干泵装置，用于无油、高产量和洁净的化学气相沉积过程。

等离子沉积设备SI 500 D低刻蚀速率，高击穿电压，低应力、不损伤衬底以及在低于100°C的沉积温度下的低界面态密度，使得所沉积的薄膜具有优异的性能。

化学气相沉积系统PECVD沉积设备SI 500 PPD便于在从室温到350℃的温度范围内进行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的标准的化学气相沉积工艺。

三到六个端口传送腔室可用于集成ICP等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层沉积系统、PECVD和ICPECVD沉积设备，以满足研发的要求。样品可以通过预真空室和/或真空片盒站加载。

SENTECH二维材料刻蚀能够在低温100°C下高均匀度和高保形性地覆盖敏感衬底和膜层，在样品表面提供高通量的反应性气体，而不受紫外线辐射或离子轰击。

原子层沉积设备：真远程等离子体源能够在低温100°C下高均匀度和高保形性地覆盖敏感衬底和膜层，在样品表面提供高通量的反应性气体，而不受紫外线辐射或离子轰击。